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束源炉用钽箔


MBE分子束外延,利用源蒸发出的定向分子束或原子束在衬底上积淀生长结晶薄膜,从而使晶面平行向外延伸的一种多层超薄单晶薄膜制备技术,这种技术在超高真空中生长薄膜,薄膜的厚度和组分要能够精确控制,生长环境清洁,可以生长出自然界没有的新型超晶格材料,在超高真空中,分子束中的分子之间以及分子束的分子与背景分子之间几乎不发生碰撞。


束源炉结构中关键部件主要有坩埚、挡板、加热丝、冷却水系统和热偶规。


其中加热丝中通过电流时放热用以加热源物质,一般用金属Ta,主要考虑Ta在高温下的稳定性和极低的蒸汽压。加热丝的外围有一个由多层Ta片做成的屏蔽罩,可使坩埚均匀受热,同时减少热损耗和对外界的热辐射。


钽:熔点: 3017°C,沸点: 5505°C,钽具有极高的抗腐蚀性。无论是在冷和热的条件下,对盐酸、浓硝酸及“王水”都不反应。


钽可用来替代不锈钢,寿命可比不锈钢提高几十倍。


一、典初可以提供的钽箔:


我公司经过严格筛选和在客户端的良好使用,推荐大家选择我公司的束源炉钽箔,纯度大于等于99.95%。



序号厚度尺寸纯度型号
10.01mm100mm*100mm99.95%TAF-PZ1-100100-3N5
200mm*200mm99.95%TAF-PZ1-200200-3N5
200mm*250mm99.95%TAF-PZ1-200250-3N5
20.05mm100mm*100mm99.95%TAF-PZ5-100100-3N5
200mm*200mm99.95%TAF-PZ5-200200-3N5
200mm*250mm99.95%TAF-PZ5-200250-3N5
30.08mm100mm*100mm99.95%TAF-PZ8-100100-3N5
200mm*200mm99.95%TAF-PZ8-200200-3N5
200mm*250mm99.95%TAF-PZ8-200250-3N5


常备库存:0.05mm, 200mm*250mm规格。


如有需要可以随时联系。


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